권성구 교수
학력
- 1988 연세대학교 (공학사-화학공학)
- 1991 KAIST (공학석사-화학공학)
- 2000 KAIST (공학박사-화학공학)
경력
- 2005.3 ~ 현재 국립군산대학교 신소재공학과 교수
- 2000.4 ~ 2005.2 한국전자통신연구원 선임연구원
- 1992.1 ~ 1995.9 현대전자㈜ 연구소 주임연구원
- 1991.1 ~ 1991.12 한국과학기술연구원 위촉연구원
연구분야
- MOCVD, ALD, PECVD 박막 및 소재공정
- 플라즈마 응용기술 (표면개질, 식각, 증착 등)
- 에너지, 센서, 반도체, 디스플레이 분야 박막 소재
주요 연구발표
- Sung Ku Kwon, and Do Hyun Kim, “Effect of Process Parameters of UV Enhanced Gas Phase Cleaning on the Removal of PMMA(Polymethylmethacrylate) from a Si Substrate”, TEEM Vol. 17(4), pp.204-207 (2016)
- Sung-Ku Kwon, Dae-Woon Kim, Yong-Ho Jung and Bong-Ju Lee, “Effect of Process Parameters on PEALD for Highly Transparent ZnO Film Growth”, JKPS Vol.55(3), pp. 999~1004 (2009)
- Sung Ku Kwon, and Do Hyun Kim, “Effect of Process Parameters of UV Enhanced Gas Phase Cleaning on the Removal of PEG(Polyethyleneglycol) from a Si Substrate”, JKPS Vol. 49(4), pp.1421-1427 (2006)
- Sung Ku Kwon, et.al., “Characterization of Via Etching in CHF3/CF4 Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching Using Neural Networks”, ETRI Journal Vol. 24(3) (2002)
- Sung Ku Kwon, Do Hyun Kim, and Jong Tae Baek, “Silicon epitaxial film growth on silicon substrate exposed to UV-excited NF3/H2 gas for native oxide removal”, J. Crystal Growth 198/199, pp. 1039-1044 (1999)
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